徐千禾 / 业务经理
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SiP4282ADVP-3-E3

SiP4282ADVP-3使用在VIA ULV平台，它是高端負载开关内含斜率控制可防止在高电容负荷状态下导致的突波电流，并且可使开关雜訊减到最小。 Vishay设计并且製造一系列的整合負載开关产品，與分立元件比较下，他们提供價錢竞争方案和额外增加特點包括斜率控制、关闭時放电、电流限制、短路保护，反向電流阻隔和紧凑包装大小。 新产品更具有低於1.2V逻辑門閘和保證在1.2V下低導通阻抗特色。这些对您的设计更容易并且提高系统保护。

Si4168DY-T1-GE3

SiP4168DY使用在VIAULV平臺，它是一個SO8包裝并且使用Vishay最新的MOSFET製程- Gen III。 這個元件規格是30Vds/20Vgs/5.7m ohm@10Vgs/7.6mohm @4.5Vgs。 Vishay的Gen III元件能減少導通阻抗在每個Silicon區域下超過35%，也同樣能減少Gate Charge在每個區域約10%。 減少的導通阻抗與Gate Charge能讓傳導和開關損失減少，且減少能源消耗和延長電池壽命。

SiS412DN-T1-GE3

SiS412DN使用在VIAULV平臺，它是一個PPAK-1212包裝并且使用Vishay最新的MOSFET製程 - Gen III。 這個元件規格是30Vds/20Vgs/24m ohm@10Vgs/30mohm @4.5Vgs。 這個PPAK-1212包裝能比SO8包裝減少70%大小和低92% 的熱阻係數。 Vishay的Gen III元件能減少導通阻抗在每個Silicon區域下超過35%，也同樣能減少Gate Charge在每個區域約10%。 減少的導通阻抗與Gate Charge能讓傳導和開關損失減少，且減少能源消耗和延長電池壽命。

档案下载

Vishay_SiP4282ADVP-3_20090609.pdf
Vishay_Si4168DY_20090609.pdf
Vishay_SiS412DN_20090609.pdf

Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1,000 强企业”，是世界上分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一。这些元件几乎用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。其产品创新、成功的收购战略以及提供“一站式”服务的能力已使 Vishay 成为了全球业界领先者。